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| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TW515111 | 具有对边电极之发光二极体元件及其制造方法 | 2002.12.21 | 本发明系有关于一种具有对边电极之发光二极体元件及其制造方法，其特征系在于一晶圆上规划多数个晶粒区域， |
| 2 | TW492052 | 具有六角堆积结晶结构之半导体元件及其制造方法 | 2002.06.21 | 本发明系有关于一种具有六角堆积结晶结构之半导体元件及其制造方法，主要系根据半导体晶圆之六角堆积结晶结 |
| 3 | TW519774 | 多晶粒发光二极体及其制造方法 | 2003.02.01 | 本发明提供一种多晶粒发光二极体及其制造方法，其将一基板分隔成复数区块，并在各区块上形成一由区块的第一 |
| 4 | TWM294808 | 具有高发光效率与高抗静电能力之氮化镓系发光二极体结构 | 2006.07.21 | 本创作系一种具有高发光效率与高抗静电能力之氮化镓系发光二极体结构，主要系令该氮化镓系发光二极体结构中 |
| 5 | TWM294091 | 发光二极体 | 2006.07.11 | 本创作系一种发光二极体，主要系于该发光二极体之 p型透明电极之出光面、透明基板之底面中择一或二覆设一 |
| 6 | CN1238908C | 具有对边电极的发光二极管元件及其制造方法 | 2006.01.25 | 一种具有具有对边电极的发光二极管元件及其制造方法，其特点是于一晶片上规划数个芯片区域，且于各芯片区域 |
| 7 | CN1388595A | 具有对边电极的发光二极管元件及其制造方法 | 2003.01.01 | 一种具有对边电极的发光二极管元件及其制造方法,其特点是于一晶片上规划数个晶粒区域,且于各晶粒区域中规 |
| 8 | CN1384553A | 半导体元件及其制造方法 | 2002.12.11 | 一种半导体元件及其制造方法,该半导体元件包括衬底、形成在衬底上的第一导电型半导体区域、第一、二电极; |
| 9 | TW479839 | 发光二极体灯泡 | 2002.03.11 | 本创作系有关于一种发光二极体灯泡，主要包括一可使用于一般灯泡插座上之底壳座，及一设于该底壳座内之电源 |
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